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磁控溅射系统经过改进堆积率和增大批量，体系产值最高能够添加 400% 靶材利用率最高能够添加 300%、减少维护并改进整体拥有本钱 专为提高薄膜均匀度而优化的刀具几何结构与固有的 IBS 加工技术优势相结合，可使资料均匀度提升 50%。SPECTOR-HT高级离子束溅镀体系，不只能够生产出质量最佳的光学薄膜，还能够提升生产率和产值。SPECTOR-HT 体系以 SPECTOR？ 离子束体系系列久经考验的优异性能为根底，可完成极佳的层厚度操控和更超卓的工艺稳定性，而且光损耗在业内已发布的数据中也属最低。
离子束溅射(IBS)，也称为离子束堆积(IBD)，是一种薄膜堆积工艺，运用离子源，将靶材（金属或电介质）堆积或溅射到基片上，以形成金属或电介质膜。因为离子束是等能的（离子具有相等的能量），且高度准直，所以与其他PVD（物理气相堆积）技术比较，其能够精确地操控厚度，并堆积非常细密的高质量薄膜。
磁控溅射是物理气相堆积的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多资料，且具有设备简单、易于操控、镀膜面积大和附着力强等长处。上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是完成了高速、低温、低损害。因为是在低气压下进行高速溅射，须有效地提高气体的离化率。磁控溅射经过在靶阴极外表引入磁场，利用磁场对带电粒子的束缚来提高等离子体密度以添加溅射率。磁控溅射体系的作业原理是指电子在电场E的效果下，在飞向基片过程中与氩原子发生磕碰，使其电离发生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场效果下加速飞向阴极靶，并以高能量炮击靶外表，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子堆积在基片上形成薄膜，而发生的二次电子会遭到电场和磁场效果，发生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。
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